BSF050N03LQ3 G的供应信息|PDF资料|求购BSF050N03LQ3 G上51电子网

BSF050N03LQ3 G详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 60A 2WDSON; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：60A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5 毫欧 @ 20A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：42nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：3000pF @ 15V; 功率_最大：2.2W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：3-WDSON; 供应商设备封装：MG-WDSON-2，CanPAK M?; 包装：剪切带 (CT)

BSF050N03LQ3 G详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 60A 2WDSON; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：60A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5 毫欧 @ 20A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：42nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：3000pF @ 15V; 功率_最大：2.2W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：3-WDSON; 供应商设备封装：MG-WDSON-2，CanPAK M?; 包装：Digi-Reel®

BSF050N03LQ3 G详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 60A 2WDSON; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：60A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5 毫欧 @ 20A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：42nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：3000pF @ 15V; 功率_最大：2.2W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：3-WDSON; 供应商设备封装：MG-WDSON-2，CanPAK M?; 包装：带卷 (TR)

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